SK海力士计划于今年年底前量产375层3D NAND闪存，已完成生产验证，并将技术转移至韩国清州M15工厂现有产线。该产品此前内部称为“400层级”NAND，最终层数定为375层。
材料更替：钼取代钨
此次升级的关键在于材料换代。SK海力士计划在375层产品中用钼替代部分钨薄膜，用于金属栅极电极（字线）。随着层数增加，字线结构变细，传统钨材料的电阻问题愈发突出。
- 钼相比钨，可降低电阻超过50%（泛林集团数据）
- 低电阻意味着更快的信号传输、更低的读写延迟和功耗
- 高层数NAND的瓶颈已从“能否堆叠”转向“堆叠后的性能与可靠性”
三星已抢先布局
三星电子从2024年4月量产的第九代286层3D NAND开始引入钼，其第十代超过400层的产品预计今年下半年商业化，并扩大钼应用范围。SK海力士此举是对三星等厂商的材料追赶。
AI需求推动升级
AI存储需求快速增长，SK海力士已提出AI-NAND产品线，英伟达亦与SK集团达成多年合作。375层NAND的量产进度取决于M15产线改造和良率爬坡，而钼材料的稳定放大能力将是真正看点。