SK海力士与英特尔洽谈合作：拟首次在美国生产存储芯片

据路透社报道，SK海力士正与英特尔讨论在美国生产存储芯片的合作方案。若达成协议，将是SK海力士首次在美国本土制造存储芯片。目前谈判仍处于探索阶段，尚未作出最终决定。

两种合作方案

知情人士透露，双方正在考虑至少两种合作方式：

• 租用方案：SK海力士租用英特尔位于俄亥俄州芯片制造基地的部分设施。
• 合资方案：SK海力士与英特尔及大型云计算企业共同成立合资企业，部分云计算企业希望锁定存储芯片供应。

具体生产哪类存储芯片尚未确定。SK海力士主要产品包括DRAM、NAND闪存及用于AI处理器的高带宽存储器HBM。

SK海力士表示，正在评估包括建立更多生产基地在内的多种方案，以提升存储业务竞争力，目前没有任何事项已确定。英特尔拒绝评论市场猜测，并表示仍在继续投资俄亥俄州项目。

英特尔俄亥俄州基地背景

英特尔于2022年宣布投资最高1000亿美元在俄亥俄州建设大型芯片制造园区，原计划2025年启动生产。项目建设多次调整，目前两座工厂完工时间已分别推迟至2030年和2031年。

对英特尔而言，引入SK海力士可能让尚未投产的俄亥俄州基地获得新的使用方案，也有望缓解部分财务压力。双方尚未确认租赁规模、投资金额或合资企业股权安排。

SK海力士现阶段在美国的芯片生产设施主要位于印第安纳州，但该项目属于先进封装基地，而非存储芯片前端制造工厂。若俄亥俄州方案推进，其在美国业务将进一步延伸至芯片制造环节。

SK集团董事长崔泰源今年7月曾表示，公司正承受来自客户和多个国家要求增加芯片供应的巨大压力，需要考虑在美国建设工厂。人工智能和数据中心建设持续推高存储芯片需求，是双方讨论合作的现实背景。SK海力士在HBM市场处于领先位置，大型云计算企业参与潜在合资方案，也与其希望提前锁定存储芯片供应有关。

成本与审批挑战

在美国生产芯片的成本是另一项现实约束。知情人士称，美国半导体制造成本明显高于韩国，主要原因包括劳动力和建设费用较高，同时相当一部分半导体供应链集中在亚洲，增加了在美国生产的综合成本。

潜在合作还涉及技术审批问题。若SK海力士计划在美国生产HBM或DRAM等先进存储芯片，相关技术可能触发韩国现有审查机制。韩国贸易部门表示，企业可自行作出投资决定，但如果项目涉及“国家核心技术”，需按照《产业技术保护法》接受审查。