IBM 宣布推出全球首项突破1纳米门槛的芯片制造技术——0.7纳米（7埃）架构。该技术预计在未来五年内具备量产条件。
核心性能飞跃
- 晶体管密度：可在指甲盖大小芯片上集成近1000亿个晶体管，密度是2021年2纳米技术的两倍。
- 性能与能效：计算性能最高提升 50%，能效最高提升 70%。
技术关键：Nanostack 架构
新型 “Nanostack（纳米堆叠）” 晶体管架构采用三维垂直堆叠设计，取代传统平面排列，在相同面积内容纳更多晶体管，显著提升集成度与能效。
行业影响与竞争
- 缓解AI电力瓶颈：随着AI数据中心电力成本激增，这项高能效技术有望缓解供电压力。
- 延长摩尔定律寿命：IBM认为该技术可将芯片持续微缩趋势再延续约10年，驳斥了“摩尔定律已死”的观点。
- 市场竞争：目前台积电已量产约2纳米芯片，英特尔18A工艺（约1.8纳米）进入风险试产阶段。IBM虽已退出芯片制造，但通过技术授权与三星、Rapidus等合作，推动技术商业化。
业界分析师认为，这一突破大幅延长了芯片路线图，但未来仍需应对其他三维堆叠方案的竞争。